SK 海力士于 27 日表示，公司将参与明年 1 月 5 日至 8 日在美国拉斯维加斯举行 CES 2023，展示主力存储器产品和新的产品阵容。
SK 海力士强调：“在此次 CES 上，公司同步 SK 集团的 ‘无碳未来’ 方向，决定将大幅减少碳排放的产品，以 ‘绿色数字解决方案’ 为主题进行展示。公司将公开的产品阵容不仅能减少环境影响，在性能和效率方面也比上一代大幅改善，期待能吸引全球科技客户和专家的众多关注。”
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最近，随着 AI、大数据、无人驾驶、元宇宙等尖端科技产业成长速度的加快，全球技术企业正在关注快速处理急剧增加的数据又能够提高耗能效率的存储器半导体。 SK 海力士认为，将在 CES 上展示的产品具备了满足客户所需求的高效能功耗比*和性能。
* 效能功耗比：每一定单位功率每秒可处理的数据容量指标
此次公司展示的核心产品是超高性能企业级 SSD 产品 PS1010 E3.S（以下简称 PS1010）。PS1010 是由多个 SK 海力士的 176 层 4D NAND 结合而成的模组产品, 支持 PCIe 第五代 (Gen 5)*标准。
* PCIe（Peripheral Component Interconnect Express）: 电子产品主板上串行结构的高速输入/输出接口。其特点是随着每一代的上升，数据传输率提高约一倍。
SK 海力士技术团队解释说：“服务器用存储器市场在低迷的情况下也在持续增长，在这种情况下，公司展示了汇聚最高竞争力技术的新产品。” 实际上，PS1010 与上一代相比，读写速度分别最高提升了 130% 和 49%。另外，该产品具备改善 75% 以上的功耗比，有望降低客户的服务器运营费用和碳排放量。
尹载然 SK 海力士副社长（NAND 商品企划负责人）表示：“在世界最大规模的展会中推出能够解决服务器客户痛点的 SSD 产品，感到非常自豪。期待以搭载自主开发的控制器与固件的产品为基础，公司的 NAND 事业竞争力进一步加强。”
与此同时，展会上 SK 海力士将展示适用于高性能计算（HPC，High Performance Computing）的新一代存储器产品，现有最高性能的 DRAM”HBM3*”、采用存储器上添加运算功能的 PIM*技术的”GDDR6-AiM”、灵活扩张存储器容量和性能的 “CXL*存储器” 等。
* HBM（High Bandwidth Memory）：垂直连接多个 DRAM，比现有 DRAM 显著提升数据处理速度的高附加值、高性能的产品
* PIM（Processing-In-Memory）：在存储器半导体上添加运算功能，可以解决人工智能 (AI) 和大数据处理领域的数据传输停滞问题的新一代技术
* CXL（Compute Express Link）：为有效构建高性能计算系统，基于 PCIe 的新一代互联协议（Interconnect Protocol）
另外，SK 海力士的 CES 展位还将同时展示 SK 集团旗下能源效率化子公司 SK enmove 的液浸冷却 (Immersion Cooling)*技术。此技术可以降低半导体服务器启动温度，SK 海力士计划今后扩大与集团成员公司以及外部合作伙伴的合作，致力于在整个半导体事业中创造新的附加价值。
* 液浸冷却（Immersion Cooling）: 将数据服务器直接浸入冷却油中冷却的新一代热管理技术，与现有的空冷式相比，冷却电力大幅减少，整体电力消耗量可减少约 30%
关键词： CESSK
